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次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

研究領域

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

研究総括 渡辺 久恒  株式会社半導体先端テクノロジーズ, 代表取締役社長
研究期間 (年度) 2007 – 2014
概要この研究領域は、半導体ロードマップ戦略に基づく技術進化の飽和を超越することを目的として、 微細化パラダイムのみでは実現できない機能・性能を持つ、革新的且つ実用化可能なエレクトロニクスデバイスを 創製するための材料・構造の開発及びプロセス開発を行う研究を対象とします。 具体的には、新しい原理により消費電力の増大、製造コストの巨額化といった実用上の問題を解決するための高集積情報処理デバイス、 有機物を含め異種材料や技術の融合により新機能・高性能を発揮するデバイス、及びそれらを可能にするプロセス研究、 また従来にない斬新なアプリケーションを切り拓く研究等が含まれます。 本研究領域では、材料・プロセスの特性・機構解明に留まらず、実用技術に発展することが十分見込まれる研究を推進します。

報告書

(2件)
  • 2020 追跡評価書 ( PDF )
  • 2014 事後評価書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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