| 体系的番号 |
JPMJSN05A8 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJSN05A8 |
| 研究責任者 |
二川 清 大阪大学, 大学院情報科学研究科情報システム工学専攻, 特任教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2005 – 2009
|
| 概要 | 超LSIチップの故障個所を、大気中で非破壊・非接触・非電極で電子レベル解析を行う超LSI故障個所解析装置を開発します。開発では、レーザー光を LSIチップ裏面から照射し、表面付近のp-n接合近傍で発生する光電流による微弱な磁場をSQUID磁束計で検出し、光電流により励起されるテラヘルツ電磁波を検出器で検出する技術を開発します。レーザー光の照射位置とこれらの信号からLSIチップの故障個所解析を行う技術を確立します。
|
|---|
