ナノ界面・電子状態制御による高速動作有機トランジスタ
| 体系的番号 |
JPMJCR06M4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR06M4 |
研究代表者 |
塚越 一仁 理化学研究所, 河野低温物理研究室, 先任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2011
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| 概要 | 有機薄膜トランジスタは素子内部の界面の特性で大きく変わり、従来から安定性および信頼性の制御が困難とされてきました。この界面を根本から理解し制御することで、短チャネル有機トランジスタを高い制御性で実現するとともに、高速動作の限界に挑戦し、実用展開のための基盤技術の確立を目指します。この研究の発展は現在のIT機器の形状や概念に変革をもたらす次世代のプラスチックエレクトロニクスへの基盤技術となります。
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| 研究領域 | ナノ科学を基盤とした革新的製造技術の創成 |
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