| 体系的番号 |
JPMJCR07L1 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR07L1 |
研究代表者 |
有賀 哲也 京都大学, 大学院理学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2012
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| 概要 | 代表者らは、最近、従来の記録を1桁近く上回る巨大Rashba効果を見いだしました。この効果を利用すると、界面を動き回る電子について、外部磁場や磁性体をいっさい用いずに、スピン状態に応じて運動を制御することが可能になります。本研究では、重元素修飾した半導体表面の巨大Rashba効果を利用することにより、特定のスピン状態の電子のみの電流を作り出したり、電子のスピン状態を識別したりする方法を開拓します。
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| 研究領域 | ナノ界面技術の基盤構築 |
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