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ナノギャップ電極/ナノ量子系接合による新機能の創出

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR07L3
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR07L3

研究代表者

平川 一彦  東京大学, 生産技術研究所, 教授

研究期間 (年度) 2007 – 2012
概要単一分子や量子ドットなどナノ量子系の状態を金属電極により電気的に制御・読み出すことができれば、演算や記憶を司る情報処理デバイスに革新をもたらすことができます。本研究では、精密に構造制御したナノギャップ電極により単一分子、InAs量子ドット、グラフェンへの接合を作製し、金属接合を介した1電子の注入と金属/ナノ量子系接合が発現する新規な物理現象の解明とその高機能デバイスへの展開について研究を行います。
研究領域ナノ界面技術の基盤構築

報告書

(2件)
  • 2012 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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