ナノギャップ電極/ナノ量子系接合による新機能の創出
体系的番号 |
JPMJCR07L3 |
DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR07L3 |
研究代表者 |
平川 一彦 東京大学, 生産技術研究所, 教授
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研究期間 (年度) |
2007 – 2012
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概要 | 単一分子や量子ドットなどナノ量子系の状態を金属電極により電気的に制御・読み出すことができれば、演算や記憶を司る情報処理デバイスに革新をもたらすことができます。本研究では、精密に構造制御したナノギャップ電極により単一分子、InAs量子ドット、グラフェンへの接合を作製し、金属接合を介した1電子の注入と金属/ナノ量子系接合が発現する新規な物理現象の解明とその高機能デバイスへの展開について研究を行います。
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研究領域 | ナノ界面技術の基盤構築 |