ハーフメタル強磁性体を用いたスピン機能MOSFETの開発

研究課題

体系的番号	JPMJCR0744
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR0744
研究代表者	菅原聡東京工業大学, 大学院理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2007 – 2012
概要	フルホイスラーハーフメタル強磁性体をシリコンCMOS集積回路に融合させた新しいスピン機能MOSFETおよびそれを用いた新機能集積回路の開発を行います。
研究領域	次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

報告書

(2件)