230-350nm帯InAlGaN系深紫外高効率発光デバイスの研究
| 体系的番号 |
JPMJCR07J4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR07J4 |
研究代表者 |
平山 秀樹 理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2012
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| 概要 | 波長が230-350nm帯の深紫外高輝度LED・深紫外半導体レーザーは、医療、殺菌・浄水、生化学産業、高演色LED照明、高密度光記録、公害物質の高速浄化、各種情報センシング等の幅広い分野への応用が考えられ、その実現が大変期待されています。本研究では深紫外発光素子実現のため、窒化物InAlGaN系半導体の結晶成長技術を開拓し、230-350nm帯深紫外高効率LED、半導体レーザーを実現します。
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| 研究領域 | 新機能創成に向けた光・光量子科学技術 |
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