レーザー補助広角3次元アトムプローブの開発とデバイス解析への応用
研究代表者 |
宝野 和博 物質・材料研究機構, 磁性材料センター, フェロー
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 概要 | 磁気・半導体デバイスのナノ領域の原子分布を3次元的に可視化するために、フェムト秒レーザーにより針状試料表面からイオン化する原子を広い角度で取り込むレーザー補助広角3次元アトムプローブを開発します。同時に、あらゆる試料からアトムプローブ試料を作製する技術を開拓し、これまで解析不可能であった難分析試料ならびに半導体、磁気デバイスの高領域3次元原子分布解析を行う技術を確立します。
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| 研究領域 | 物質現象の解明と応用に資する新しい計測・分析基盤技術 |
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