1. 前のページに戻る

レーザー補助広角3次元アトムプローブの開発とデバイス解析への応用

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR0604
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR0604

研究代表者

宝野 和博  物質・材料研究機構, 磁性材料センター, フェロー

研究期間 (年度) 2006 – 2010
概要磁気・半導体デバイスのナノ領域の原子分布を3次元的に可視化するために、フェムト秒レーザーにより針状試料表面からイオン化する原子を広い角度で取り込むレーザー補助広角3次元アトムプローブを開発します。同時に、あらゆる試料からアトムプローブ試料を作製する技術を開拓し、これまで解析不可能であった難分析試料ならびに半導体、磁気デバイスの高領域3次元原子分布解析を行う技術を確立します。
研究領域物質現象の解明と応用に資する新しい計測・分析基盤技術

報告書

(2件)
  • 2010 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

サービス概要 よくある質問 利用規約

Powered by NII jst