| 体系的番号 |
JPMJPR06M1 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR06M1 |
研究代表者 |
大矢 忍 東京大学, 大学院工学系研究科, 助手
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 概要 | 本研究では、強磁性半導体や強磁性ナノ微粒子を含む半導体量子ナノ構造を用いて、スピン自由度と量子サイズ効果を組み合わせ、スイッチング機能を有する室温動作超高速不揮発性メモリを実現します。これにより、コンピュータの主要な機能が全てカード一枚のサイズに収まると期待されます。この研究は半導体スピンバンドエンジニアリングという新たな概念を生み出し、将来の様々な半導体スピン量子デバイスの基礎となると思われます。
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| 研究領域 | 界面の構造と制御 |
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