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強磁場走査トンネル分光法による単一分子のスピン計測

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR06M7
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR06M7

研究代表者

高田 正基  大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 特任助手

研究期間 (年度) 2006 – 2009
概要本研究では、強磁場中走査トンネル分光法や反強磁性探針によるスピン偏極トンネル分光法、及び新規に開発する磁気共鳴走査トンネル分光法を用いて、分子/電極界面での分子のスピン状態を観察します。分子薄膜のスピン配列を可視化し、個々のスピンのg因子や交換相互作用といった基礎的な知見を得ます。また、スピン緩和時間といった時間軸の情報も得ます。本研究により、単一分子のスピンの高速制御の可能性が開け、単一分子量子計算素子の開発へ展開できます。
研究領域界面の構造と制御

報告書

(1件)
  • 2009 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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