| 体系的番号 |
JPMJPR0764 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0764 |
研究代表者 |
高橋 有紀子 物質・材料研究機構, 磁性材料センター, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2011
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| 概要 | 微細化の限界を目前にした半導体デバイスに将来替わると期待されているスピントロニクスデバイス実現のためには、室温で電子のスピン偏極率が100%の強磁性ハーフメタルが必要とされています。本研究では、点接触アンドレーエフ反射法によるスピン偏極率の直接測定により室温ハーフメタルを探索し、それにより磁気抵抗素子や半導体・磁性デバイスの実現に貢献することを目指します。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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