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縦型立体構造デバイス実現に向けた半導体ナノワイヤの開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR0767
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR0767

研究代表者

深田 直樹  物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 主任研究員

研究期間 (年度) 2007 – 2010
概要現行のMOSFETの性能限界を解決するためには、新たなチャネル構造を有する新構造トランジスタの開発が必要です。本研究では、次世代型の超低消費電力MOSFETとして注目されている縦型立体構造を有するサラウンディングゲートトランジスタの実現に向けて、その伝導チャネルとなる1次元構造の半導体ナノワイヤに着目した新規デバイスの開発を目指します。
研究領域革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス

報告書

(1件)
  • 2010 終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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