縦型立体構造デバイス実現に向けた半導体ナノワイヤの開発
| 体系的番号 |
JPMJPR0767 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0767 |
研究代表者 |
深田 直樹 物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 概要 | 現行のMOSFETの性能限界を解決するためには、新たなチャネル構造を有する新構造トランジスタの開発が必要です。本研究では、次世代型の超低消費電力MOSFETとして注目されている縦型立体構造を有するサラウンディングゲートトランジスタの実現に向けて、その伝導チャネルとなる1次元構造の半導体ナノワイヤに着目した新規デバイスの開発を目指します。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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