| 体系的番号 |
JPMJCR02B1 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B1 |
研究代表者 |
秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 助教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2002 – 2007
|
| 概要 | 構造均一性の極めて高い半導体量子細線を用いて、量子細線レーザーを作製し、低発振閾値電流や高微分利得などの超高速・超省電力に直接結びつく高性能化の実証を行います。また、量子細線の擬1次元系に特徴的な物性・デバイス特性を解明するための物理計測を詳細に行い、量子細線レーザー発振の起源・特性および擬1次元系高密度電子・正孔状態での多体電子相関とそれが引き起こす光学過程の新効果・新現象を、実験と理論の両面から明らかにします。
|
|---|
| 研究領域 | 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製 |
|---|
