| 体系的番号 |
JPMJCR02B3 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B3 |
研究代表者 |
荒井 滋久 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2002 – 2007
|
| 概要 | 半導体レーザは、光を増幅する機能を担う活性層を極微化して量子効果を顕著にすることにより、従来にない低消費電力動作をする可能性があります。本研究では、リソグラフィーと低損傷エッチングおよび埋め込み再成長プロセスを用いて、高品質の低次元量子構造およびこれを用いる高性能レーザの実現を目指します。さらに、人工異方性形状の低次元量子構造の実現と、これを用いる新しい機能光デバイス開発の可能性をさぐります。
|
|---|
| 研究領域 | 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製 |
|---|
