超伝導クパー対を使用した電子EPR対高密度ビームの開発
体系的番号 |
JPMJPR04T2 |
DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR04T2 |
研究代表者 |
趙 福來 早稲田大学, 各務記念材料技術研究所, 客員講師
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研究期間 (年度) |
2004 – 2007
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概要 | 2個の相関している量子、EPR対は光子で実現され、量子情報処理へ向けた応用研究が盛んに行われています。一方、真空中の電子EPR対はその強い相互作用を生かした量子実験が期待できますが、必要不可欠な高密度EPR対電子ビームは実現されていません。本研究では、ナノチップ、ニオブ超伝導体チップ等の様々なナノ電子源に関して蓄積した技術を基礎に、電子源中での電子相関をそのまま電子ビームに反映させた高密度のEPR対電子ビームを開発します。
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研究領域 | 量子と情報 |