電流誘起磁壁移動型磁気メモリの開発に向けた理論研究

研究課題

体系的番号	JPMJPR04A2
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR04A2
研究代表者	多々良源大阪大学, 大学院理学研究科, 助手
研究期間 (年度)	2004 – 2007
概要	大容量不揮発メモリは、コンピュータの常識とIT技術を革新的に変えるものと期待されています。本研究ではナノサイズの磁石を用いた省電力不揮発性の新型高集積磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発に向けた基礎研究を行います。書き込みはナノの世界に特有な磁石と電気の強い相互作用を利用し電流で行い、読み出しはナノ接合の著しい信号増幅効果を用いるという新しいメカニズムを提案し、革新的なメモリの開発を目指します。
研究領域	情報、バイオ、環境とナノテクノロジーの融合による革新的技術の創製

報告書

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