基本論理素子に向けたナノスピンバルブ構造の選択形成
| 体系的番号 |
JPMJPR07N7 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR07N7 |
研究代表者 |
原 真二郎 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2010
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| 概要 | 強磁性体ナノ構造を選択的に形成する独自の手法により、トップダウン型微細加工では困難な「結晶軸が揃った強磁性体/半導体接合構造」をナノメータ領域で任意の位置に形成するビルドアップ型作製技術を確立します。原子レベルで平坦な結晶面・急峻な異種材料接合界面が得られる本手法により、ナノメータサイズの横方向/縦方向スピンバルブ磁気抵抗素子を実現しその基礎物性評価を行うと共に、新しい基本論理素子応用を目指します。
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| 研究領域 | ナノ製造技術の探索と展開 |
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