強磁性金属/半導体界面制御によるスピントランジスタの創製
| 体系的番号 |
JPMJPR06M4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR06M4 |
研究代表者 |
齋藤 秀和 産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 研究員
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 概要 | 固体中の電子の電荷とスピンの相互作用を利用するスピントロニクス技術が世界的に注目されています。現在、この新技術を利用した「スピントランジスタ」と呼ばれる不揮発性トランジスタの実現を目指した研究が世界規模で行われています。しかしながら、明確に不揮発機能を実証した例は皆無です。本研究は研究者が有する界面制御技術を生かした独自のスピントランジスタを作製し、世界初の不揮発機能を実証することを目的とします。
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| 研究領域 | 界面の構造と制御 |
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