研究代表者 |
小川 智 岩手大学, 工学部応用化学科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2007
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| 概要 | 近年、アモルファス状態での有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタのキャリアー移動度が1 cm2/Vsを超えるものが報告されている。しかしながら、それらは、無機半導体におけるアモルファスシリコンでの性能を追従するものに過ぎない。本応募課題の目的は、無機半導体におけるポリシリコングレードのキャリアー移動度(100 cm2/Vs)を超え、これまでに誰も実現することができなかった世界最高性能の有機薄膜トランジスタを開発するものである。
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