研究代表者 |
遠藤 治之 岩手県工業技術センター, 電子機械技術部, 主任専門研究員
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| 研究期間 (年度) |
2007
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| 概要 | ワイドバンドギャップ酸化物半導体であるZnOは、安全で無公害、安価といった特徴を持ち、更に可視光に対し透明で紫外線吸収率が高いことから、LED材料としてだけでなく、紫外線センサなどの受光デバイス材料としても期待されている。本研究開発では火炎検出を目指し、ZnO単結晶基板上へ多元スパッタ法によりMgZnO薄膜をエピタキシャル成長し、ショットキーフォトダイオード型紫外線検出器の開発を行なう。
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