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巨大電荷制御トランジスタを用いたセラミックスエレクトロニクス

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

徳光 永輔  東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授

研究期間 (年度) 2007
概要低コストで基板を選ばず様々な場所に集積化でき、透明でかつフレキシブルなセラミックス材料で構成される演算素子、メモリ素子を開発する。Bi2Nb2O7等の高誘電率材料、または(Bi,La) 4Ti3O12等の強誘電体をゲート絶縁膜に用い、それらが誘起する大きな電荷量で、インジウム・スズ酸化物、In-Ga-Zn-O等の導電性酸化物チャネルの導電率を制御する新コンセプトのトランジスタ素子を開発する。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-25   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2023-03-29  

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