超臨界流体を用いた熱CVDによる高アスペクト比ホールの埋め込み技術の開発

研究課題

研究代表者	秋山泰伸東海大学, 大学院工学研究科, 助教授
研究期間 (年度)	2007
概要	超臨界流体を利用し、高アスペクト比を要するホールの穴埋め技術の開発であり、半導体材料に関する研究である。半導体の高集積化において、三次元の高アスペクト比の凸凹上への配線、絶縁体あるいはその他半導体材料を凸凹上に均一に成膜する技術の開発が要求されている。そこで、本研究では超臨界流体を用いた熱CVD装置を試作し、次世代半導体に要求される高アスペクト比でナノスケールの穴埋めや均一成膜の達成を目的とする。