シリコン基板一体の貴金属多孔質層の形成とその応用

研究課題

研究代表者	早瀬仁則東京理科大学, 理工学部, 講師
研究期間 (年度)	2007
概要	多孔質シリコンをPt多孔質へ改質出来ることを見出し,この多孔質層を触媒層とする新しい薄型燃料電池を提案・試作してきた.シリコン基板と触媒層が一体であるため,従来型に必要な触媒層保持構造は必要ない.本研究では AuやPdの多孔質層を形成し,その上に微量のPtやRuを析出させることにより,希少貴金属使用量を抑えた基板一体型の触媒層を形成し,この触媒性能の向上を目指す.