原子・イオンレベルでの非破壊局所欠陥解析手法の開発と応用

研究課題

研究代表者	黒木雄一郎長岡技術科学大学, 電気系, 助教
研究期間 (年度)	2007
概要	様々な無機材料における多種多様な欠陥は、その物性(たとえば電気伝導度や機械的強度)に大きな影響を及ぼすことが知られている。しかし、その挙動については種々のメカニズムが存在しており、材料の特性改善のための指針を得るために体系化が強く望まれている。特に、イオン・原子空孔、置換、進入といったナノ領域での欠陥種、濃度、分布を光による非破壊的手法で詳細に調査することは、材料の特性向上に極めて効果的な分析手法である。本試験研究では、主にレーザーを用いた無機材料の欠陥解析手法を開発、応用することを目的とする。