熱電デバイス用均一組成SiGeバルク単結晶成長技術の開発

研究課題

研究代表者	早川泰弘静岡大学, 電子工学研究所, 教授
研究期間 (年度)	2007
概要	本提案は、溶液から結晶を成長させる際に、意図的に熱パルスを加えて不純物を導入することで結晶成長速度を計測し、この結果を元に、成長中の溶液、結晶の組成が一定となるような結晶育成環境を整えることで、均一組成領域の長い熱電デバイス用のSixGe1-x バルク単結晶成長技術を開発するものである。今回は、組成を一定に保つ冷却速度を求めるとともに、成長速度に影響する温度勾配の効果についても検討する。