GaN系窒化物半導体による高性能電力変換素子の開発

研究課題

研究代表者	岩谷素顕名城大学, 理工学部, 准教授
研究期間 (年度)	2007
概要	Si を用いた電力変換素子は、インバータ・コンバータなどの電力変換機器、電源機器に利用されており、高効率な電力利用には必須な技術であり、それを介して消費される電力量は、総供給電力量の40%にも達している。しかし同時に、素子自体の抵抗による損失や大型化が問題となっている。これらを解決するためには、新しい半導体材料の適用が必要と考えられ、本研究課題では、ワイドギャップかつ、2 次元電子ガスという量子構造が適用可能な、GaN 系III 族窒化物半導体による高性能電力変換素子実現を目指す。特に、電力変換素子として、実用化のキーテクノロジーであるノーマリーオフ型で且つ、耐圧1000V以上、オン抵抗が1m.・cm2 以下の電界効果トランジスタを実現することを目標とし研究を進める。