研究代表者 |
渡邊 健夫 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 助手
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| 研究期間 (年度) |
2007
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| 概要 | 極端紫外線リソグラフィ(EUVL)技術は、2010以降の線幅32 nm世代の半導体微細加工技術として期待されている。EUVレジストの開発の課題は、感度5 mJ/cm2以下かつ線幅バラツキ(LER)3 nm(3s)以下を同時に満足するレジストを開発することである。感光剤(PAG)をベースレジンに直接合成する、いわゆるPAG内包型の化学増幅系レジストの開発を進める。併せて、EUV光による2光束干渉露光系により評価を行い、要求仕様を満足するレジストの開発を進める。
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