酸化物ナノワイヤ構造を用いた不揮発性メモリ素子の開発

研究課題

研究代表者	柳田剛大阪大学, 産業科学研究所, 助手
研究期間 (年度)	2007
概要	ボトムアップ的に作製されるナノ領域10nm以下の酸化物ナノワイヤをテンプレートとした新規ナノへテロ構造を高温プロセスで作製し、作製されたヘテロナノワイヤをシリコン基板上の電極間に低温プロセスでポジショニングすることにより、従来のリソグラフィー微細化限界を遥かに凌駕したナノ領域10nm以下での高集積化が可能となる遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリ素子を実現する。