電子・スピン情報伝達磁性薄膜半導体材料の開発と応用

研究課題

研究代表者	高橋尚志香川大学, 教育学部, 助教授
研究期間 (年度)	2007
概要	負の電子親和力(NEA: Negative Electron Affinity)を有する半導体(GaAs)表面上に、鉄などの強磁性多層薄膜を成長させた系での、電子・スピン情報を含めた電子デバイス開発を目的に、表面電子状態を調べる。表面組成および表面形状は本学実験室MBE装置のオージェ分光装置において行う。特に本課題では表面上の薄膜の存在・膜厚による電子状態とフェルミレベルの変化を明らかにする事を目的とする。