触媒微細構造制御による多結晶シリコン膜の結晶核密度制御と高品質・低温形成技術

研究課題

研究代表者	古田守高知工科大学, 総合研究所, 助教授
研究期間 (年度)	2007
概要	多結晶シリコンは、ディスプレイ用薄膜トランジスタや薄膜太陽電池といった情報通信・環境エネルギー技術に不可欠な材料である。本研究は、金属誘起結晶化(MIC)による多結晶シリコン薄膜の固相成長において、触媒金属の微細構造制御によるシリコン結晶核密度制御と、多結晶シリコン薄膜の大粒径化に関する研究である。本研究の結晶化技術は、多結晶シリコンを活性層に用いた高性能薄膜トランジスタや太陽電池への応用を目的とするものである。