三極型高周波プラズマCVD法による32nm 世代LSI用カーボンナノチューブ配線の作製技術の開発

研究課題

研究代表者	庄善之東海大学, 工学部電気電子工学科, 助教授
研究期間 (年度)	2007
概要	2010年に実用化が予定されている32nm世代の大規模集積回路(LSI)では,配線材料としてカーボンナノチューブ(CNT)の使用が提案されている.本研究では,代表研究者が開発した三極型高周波プラズマCVD法を用いて,大面積のSiウエハー(300mm)上の配線部分に,400°C台で,CNTを作製する技術を開発する.その結果,32nm世代のLSI開発に必要なCNT配線の作製技術を確立する.