歪半導体カンチレバー応用次世代プローブカードの研究開発

研究課題

研究代表者	山田省二北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授
研究期間 (年度)	2007
概要	課題全体としては,申請者研究室のオリジナルなアイデアである、化合物半導体歪み多層構造を応用した、1)超精細特殊形状カンチレバー(特願2006-262739)の作製技術を確立し、2)大規模集積回路(LSI)検査装置用次世代プローブカードの応用開発を進め、それに基づくMEMS新市場形成を狙うが、本試験研究では、1)の、超微細(超柔軟、多機能)個別カンチレバーの開発技術確立を達成し、2)の、超微細カンチレバーの高集積化製品(プローブカード)開発へと発展させる基礎を構築する。