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環境半導体β-FeSi2の高品質エピタキシャル膜成長への挑戦

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

瀧川 靖雄  大阪電気通信大学, 工学部 電子工学科, 助教授

研究期間 (年度) 2007
概要化学洗浄したシリコン基板を短時間でも空気中に暴露すると有機カーボン汚染が付着するが、この汚染をアルゴン雰囲気中で極端紫外光Arエキシマランプ光(波長126nm)を照射すると簡単に除去できることを見出している。この新技術と独自に開発した2段階溶融法によって作製した巨大ε-FeSiターゲットにArFエキシマパルスレーザーを照射してアブレーション種をシリコン基板と熱反応させることにより良質のβ-FeSi2エピタキシャル薄膜を作製する新技術である。さらにレーザーアニールを施してインターネット通信用発光材料に転嫁させる新技術の開発である。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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