SiC表面自己改質によるグラフェンの形成

研究課題

研究代表者	田中悟九州大学, 大学院工学研究院エネルギー量子工学部門, 教授
研究期間 (年度)	2007
概要	近年,グラフェンは次世代超高速電子デバイスとして大きな注目を浴びている材料である.2次元電子物性の有用性が報告されつつあるが,実際のデバイス応用にあたり作製法に関するブレークスルーが必要である.グラファイトをテープで剥がす手法が主に用いられているが,デバイス作製のみならず物性測定においても大きな困難を伴うことは明らかである.本研究では,SiC表面グラフェン化のメカニズムを探求し,それにより最適グラフェン層を形成することを目的とする.