| 体系的番号 |
JPMJCR0381 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0381 |
研究代表者 |
赤穗 博司 産業技術総合研究所, 強相関電子技術研究センター, 副研究センター長
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| 研究期間 (年度) |
2003 – 2007
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| 概要 | 強相関電子系では、スピン-軌道-電荷が強く相互作用した量子相が形成されています。この量子相の外場制御により、劇的に応答が変化する新しいデバイス機能が期待されます。本研究では、強相関遷移金属酸化物の特異な電子物性のうちスピン完全偏極強磁性に焦点をあて、酸化物スピントロニクス素子の構築に必要不可欠な界面観察技術・制御技術(界面エンジニアリング)を確立し、スピントンネル機能の巨大化を実現するとともに、スピントンネル注入デバイスの実現に向けた機能開拓を目指します。
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| 研究領域 | 新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製 |
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