| 体系的番号 |
JPMJCR02B7 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B7 |
研究代表者 |
新田 淳作 NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, グループリーダ
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2007
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| 概要 | 本研究では、半導体量子ドット超格子構造や、ナノスケールでの半導体ヘテロ構造設計により、第三電極を用いた電子スピンの量子力学状態の自在な電気的制御方法を開発し、非磁性半導体中に高機能スピンデバイスの実現を目指します。電子スピンのゲートによる制御方法や機能化が確立した場合、超高速・超省電力高性能を有する量子コンピュータの基本デバイスへと発展させることができます。
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| 研究領域 | 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製 |
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