| 体系的番号 |
JPMJCR02BA |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02BA |
研究代表者 |
吉川 明彦 千葉大学, 電子光情報基盤技術研究センター, センター長(工学部教授)
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2007
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| 概要 | 最近、InNのバンドキャップが約0.63eVであり、窒化物系半導体は光通信波長領域までもカバーしうることが明らかにされました。本研究では、InNをベースとした窒化物系材料の「超薄膜・超急峻界面制御」分子線エピタキシ法ナノプロセス技術を開発します。これにより、InN系ナノ構造本来の物性を発現させ、近未来の大容量・超高速画像環境情報を支える、光通信波長域レーザ、超高速光制御素子、そして超高速・超省電力電子素子開発の可能性を検討します。
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| 研究領域 | 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製 |
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