| 体系的番号 |
JPMJCR02B6 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B6 |
研究代表者 |
小柳 光正 東北大学, 大学院工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2007
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| 概要 | エネルギーバンドの状態、トンネル電子のスピン状態、電荷状態を考慮した非対称トンネル効果に基づく新しい「共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリ」を提案します。また、実際に素子を試作して基本動作の確認を行うとともに、これらのメモリを用いたメモリベースの超高速・超省電力回路とアーキテクチャの検討も行います。試作素子の動作確認に成功すれば、実現が難しいとされていた高速・低電力のテラビット・ランダムアクセスメモリ(RAM)の可能性が初めて示されることになります。
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| 研究領域 | 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製 |
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