ポリイミドナノ粒子を用いた次世代低誘電率層間絶縁膜の開発

研究課題

研究代表者	石坂孝之東北大学, 多元物質科学研究所, 助手
研究期間 (年度)	2007
概要	大規模集積回路の高密度化に伴う信号遅延問題のため、2013 年には誘電率(k)2以下の層間絶縁膜が必要になるとされている。本研究ではポリマーの中でも最高レベルの高耐熱性、高強度、高粘弾性を有するポリイミド(PI)を用いて、粒子表面や内部に空孔を有する多孔性PI ナノ粒子の作製を行う。更に、得られた多孔性ナノ粒子を用いて、粒子内部、且つ、粒子間に空隙を有する膜を作製する。以上よりk<2(@1MHz)の次世代低誘電率膜の開発を行う。