1. 前のページに戻る

ポリイミドナノ粒子を用いた次世代低誘電率層間絶縁膜の開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

石坂 孝之  東北大学, 多元物質科学研究所, 助手

研究期間 (年度) 2007
概要大規模集積回路の高密度化に伴う信号遅延問題のため、2013 年には誘電率(k)2以下の層間絶縁膜が必要になるとされている。本研究ではポリマーの中でも最高レベルの高耐熱性、高強度、高粘弾性を有するポリイミド(PI)を用いて、粒子表面や内部に空孔を有する多孔性PI ナノ粒子の作製を行う。更に、得られた多孔性ナノ粒子を用いて、粒子内部、且つ、粒子間に空隙を有する膜を作製する。以上よりk<2(@1MHz)の次世代低誘電率膜の開発を行う。

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

サービス概要 よくある質問 利用規約

Powered by NII jst