| 体系的番号 |
JPMJCR02C2 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02C2 |
研究代表者 |
市川 昌和 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2002 – 2007
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| 概要 | 独自の極薄Si酸化膜を利用する超高密度・超微細ナノドット形成技術を用いて、Si、SiGe、Geや鉄 シリサイドからなるナノドット超格子や人工配列構造を作成する総合技術を開発します。また、個々のナノドットや集積体の光・電子物性を評価する技術の開発 も行います。このようなナノ構造体においては、光効率の大幅な増大が期待できます。この研究により、光効率の大きな素子を開発できれば、Si光素子とSi 電子素子の融合が可能となります。
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| 研究領域 | 高度情報処理・通信の実現に向けたナノファクトリーとプロセス観測 |
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