縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発
研究代表者 |
遠藤 哲郎 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2013
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| 概要 | 本研究では、デバイスのボディー領域全体を電流駆動領域とする新概念の縦型構造トランジスタのデバイス技術に加えて、その回路設計・材料・プロセス技術までを一貫して開発します。これにより、平面型ＭＯＳＦＥＴと比較して、駆動電流特性、リーク電流特性、集積密度を大幅に向上させた半導体ＬＳＩの新しいユニバーサル技術プラットフォームを提供することを目指します。
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| 研究領域 | 次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究 |
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