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縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR0841
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR0841

研究代表者

遠藤 哲郎  東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教授

研究期間 (年度) 2008 – 2013
概要本研究では、デバイスのボディー領域全体を電流駆動領域とする新概念の縦型構造トランジスタのデバイス技術に加えて、その回路設計・材料・プロセス技術までを一貫して開発します。これにより、平面型MOSFETと比較して、駆動電流特性、リーク電流特性、集積密度を大幅に向上させた半導体LSIの新しいユニバーサル技術プラットフォームを提供することを目指します。
研究領域次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究

報告書

(2件)
  • 2013 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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