極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能
| 体系的番号 |
JPMJPR0861 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0861 |
研究代表者 |
片山 竜二 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | GaNやZnO、CuClといった極性ワイドギャップ半導体は、非線形光学定数が大きく、励起子が安定に存在し、かつ磁性元素添加により室温強磁性を示すことが知られていますが、これら高次光物性を利用した素子応用研究は少ない状況です。本研究では、これらを用いたフォトニックナノ構造を作製することで物質と光の相互作用を増強し、波長変換素子やポラリトンレーザ、光アイソレータなど光機能素子を創出することを目指します。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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