| 体系的番号 |
JPMJPR0862 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0862 |
研究代表者 |
川山 巌 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | 高温超伝導体におけるナノオーダーの微細加工技術を確立し、単一磁束量子デバイスの高集積化および高速化を実現すると同時に、超短パルスレーザー光による磁束生成技術を利用した高速・高機能光インターフェイスを実装します。超伝導デバイス技術を土台として、ナノテクノロジーとテラヘルツ技術を融合することにより、テラヘルツ領域で動作可能な“光生成磁束量子ナノデバイス”の実現を目指します。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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