| 体系的番号 |
JPMJPR0865 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0865 |
研究代表者 |
須崎 友文 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
|
| 概要 | イオン結合性物質がナノスケールにおいて持つ電気的不安定性を電気的分極の積み重ねという概念でデザインし、ワイドギャップ酸化物を素材として、バルクとは正反対の性質である導電性を局所的に引き出します。これらの酸化物のバルク物性が、電気的・磁気的に極めて不活性であり、電子デバイスの筐体材料としてすぐれた特性を持つことに着目し、絶縁体材料だけから成る新しいトランジスタを開発します。
|
|---|
| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
|---|
