量子ドットを用いた単電荷・スピン・光機能融合デバイス
| 体系的番号 |
JPMJPR0867 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0867 |
研究代表者 |
中岡 俊裕 東京大学, 生産技術研究所, 特任准教授
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | 本研究では、半導体ナノ構造技術、特に量子ドット技術を基盤として、「単電荷」、「スピン」、「光子」といったポストCMOS 時代の情報の担い手となるであろう3つの物理量の融合素子の開発に取り組みます。原理的に超低消費電力デバイスである単電子トランジスタを基盤に、光‐電子変換動作、スピン間相互作用を組み込むことで新機能を実現する素子を提案、原理動作の実証を目指します。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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