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Si系半導体ナノ構造を基礎とした単一電子スピントランジスタの開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR0868
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR0868

研究代表者

浜屋 宏平  九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助教

研究期間 (年度) 2008 – 2011
概要本研究では、シリコンLSI技術におけるスケーリング則の限界という課題を克服するために、電子のスピンを積極的に活用した動作原理に基づく半導体デバイスの開発を行います。実験的に考案した究極の低消費電力スピントロニクスデバイス『単一電子スピントランジスタ』を、既存のシリコンテクノロジーと整合した素子構造へと発展させ、高性能化および新機能の創出を目指します。
研究領域革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス

報告書

(1件)
  • 2011 終了報告書 ( PDF )

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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