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ワイドギャップ強磁性半導体デバイス

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR0869
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR0869

研究代表者

福村 知昭  東北大学, 金属材料研究所, 講師

研究期間 (年度) 2008 – 2010
概要光触媒性や透明導電性を持つ酸化物半導体である二酸化チタンに少量のコバルトをドーピングすると室温強磁性が発現します。このコバルトをドープした二酸化チタンの中にある電子の電荷とスピンを電気や光を用いて制御し、強磁性のスイッチングなどスピントロニクスのデバイス実証を試みます。さらに、将来のエレクトロニクスに役立つと期待される半導体スピントロニクスデバイスが室温で身近に使えるようになることを目指します。
研究領域革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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