ワイドギャップ半導体中の単一常磁性発光中心による量子情報素子
| 体系的番号 |
JPMJPR086A |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR086A |
研究代表者 |
水落 憲和 大阪大学, 大学院数理物質科学研究科, 講師
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 概要 | 量子通信・量子コンピューティングのためには量子もつれ状態(エンタングル状態)を生成できる多くの量子ビットを持った素子を実現し、量子情報処理を安定的に精度良く行う必要があります。本研究ではダイヤモンドや他のワイドギャップ材料中の単一常磁性発光中心を研究し、それらの特性を生かして、数量子ビットによる量子もつれ状態を用いた演算・記録及び単一光子発生を行える素子の実現を目指します。
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| 研究領域 | 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス |
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